实验室综合考量锗基波导器件中的克尔非线性、多光子吸收、载流子吸收、载流子色散、热光相移等因素的影响,分析了非线性光学增益和光学损耗之间的平衡机制。提出采用掺杂硅的锗基材料减少双光子吸收的方法和采用p-i-n 结施加反向偏置电压降低自由载流子寿命的方法,可以分别在2.9μm 和3.5μm 两个泵浦波长,实现中红外锗基光频梳。该成果对实现片上集成的高性能中红外相干光源具有重要指导意义。
中红外锗基光频梳
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